Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом

dc.contributor.author	Викулин, И.М.
dc.contributor.author	Курмашев, Ш.Д.
dc.contributor.author	Сидорец, Р.Г.
dc.contributor.author	Туманов, Ю.Г.
dc.date.accessioned	2014-11-09T19:02:01Z
dc.date.available	2014-11-09T19:02:01Z
dc.date.issued	2003
dc.identifier.citation	Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом / И.М. Викулин, Ш.Д. Курмашев, Р.Г. Сидорец, Ю.Г. Туманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 4. — С. 46-49. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70654
dc.description.abstract	Изложен физический механизм внутреннего усиления фототока в p-n-переходе с длинной базой, на боковой поверхности которой создан полевой МДП-электрод. Совместное действие нескольких механизмов усиления увеличивает чувствительность инжекционного фотодиода.	uk_UA
dc.description.abstract	The physical mechanism of inside amplification at the p-n-junction with long base, on the lateral surface of which the field-effect MOS-contact was made, was considered. The joint action of several mechanisms of amplification the sensitivity of injection photodiodes is increase.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Оптоэлектроника	uk_UA
dc.title	Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом	uk_UA
dc.title.alternative	The current amplification of injection photodiodes with field-effect contact	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA
dc.identifier.udc	621.382.4