Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором

dc.contributor.author	Корнейчук, В.И.
dc.contributor.author	Рогалевич, О.А.
dc.date.accessioned	2014-11-09T07:44:08Z
dc.date.available	2014-11-09T07:44:08Z
dc.date.issued	2003
dc.identifier.citation	Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором / В.И. Корнейчук, О.А. Рогалевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 54-55. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70616
dc.description.abstract	Экспериментально исследованы фотоприемные устройства импульсных ИК-сигналов на основе кремниевого p—i—n-фотодиода и операционного усилителя, в цепь обратной связи которого включен "искусственный" резистор, обладающий меньшей температурой шума, чем обычный резистор.	uk_UA
dc.description.abstract	The photoreception devices (PRD) of pulse infrared signals are experimentally investigated. The PRD contains of siliicon p—i—n-photodiode and operational amplifier. The "artificial" resistor is included in a circuit of feedback operational amplifier and having smaller temperature of noise, than usual resistor.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Оптоэлектроника	uk_UA
dc.title	Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором	uk_UA
dc.title.alternative	Research microelectronic photoreception of devices with the artificial resistor	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA