Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия

dc.contributor.author	Ковалюк, З.Д.
dc.contributor.author	Махний, В.П.
dc.contributor.author	Янчук, А.И.
dc.date.accessioned	2014-11-09T07:33:50Z
dc.date.available	2014-11-09T07:33:50Z
dc.date.issued	2003
dc.identifier.citation	Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия / З.Д. Ковалюк, В.П. Махний, А.И. Янчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 42-44. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70612
dc.description.abstract	Анализируются электрические и фотоэлектрические свойства выпрямляющих структур различного типа (поверхностно-барьерные диоды, p—n-гомопереходы и гетеропереходы) на базе моноселенидов галлия и индия. Обсуждается влияние параметров базовых материалов на основные технические характеристики и параметры диодов, а также возможные пути их улучшения.	uk_UA
dc.description.abstract	The forming mechanisms of dark and light properties straightening structures with different type based on the indium and gallium monoselenides were considered.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Оптоэлектроника	uk_UA
dc.title	Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия	uk_UA
dc.title.alternative	Photodiodes based on indium and gallium monoselenides	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA