Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника

dc.contributor.author	Мамедов, А.К.
dc.date.accessioned	2014-11-09T07:15:40Z
dc.date.available	2014-11-09T07:15:40Z
dc.date.issued	2003
dc.identifier.citation	Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника / А.К. Мамедов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 18-20. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70604
dc.description.abstract	Предложена математическая модель тонкопленочного транзистора с затвором Шоттки на основе аморфных полупроводниковых слоев. На основе представленной модели проведен расчет основных параметров и характеристик транзистора на основе органической пленки из фталоцианина. Указана перспективность использования подобных транзисторов в качестве переключающих элементов в устройствах отображения информации.	uk_UA
dc.description.abstract	Mathematical model of thin-film transistor with Schottky's gate on basis of amorphous semiconductor films are proposed. Using this models general transistor's characteristics and parameters were calculated. The main component of the transistor is the organic phthalocyanine film. It has been stressed, that similar transistors as switching elements are very perspective for the indicating information devices.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Проектирование. Конструирование	uk_UA
dc.title	Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника	uk_UA
dc.title.alternative	Calculation of thin-film transistors with Schottky's gate on basis of amorphous semiconductor	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA