Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003, № 2 за темою "Оптоэлектроника"

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003, № 2 за темою "Оптоэлектроника"

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором 
    Корнейчук, В.И.; Рогалевич, О.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Экспериментально исследованы фотоприемные устройства импульсных ИК-сигналов на основе кремниевого p—i—n-фотодиода и операционного усилителя, в цепь обратной связи которого включен "искусственный" резистор, обладающий меньшей ...
  • Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶ 
    Колежук, К.В.; Комащенко, В.Н.; Шереметова, Г.И.; Бобренко, Ю.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Показана применимость некоторых гетероструктурных концепций к поликристаллическим объектам на основе решеточно-несогласованных соединений А²В⁶ и перспективность таких многослойных гетероструктур для разработки фотоэлектрических ...
  • Оптико-электронный дальномер малых дистанций для динамических систем 
    Ваксман, Ю.Ф.; Сантоний, В.И.; Янко, В.В.; Иванченко, И.А.; Будиянская, Л.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Рассмотрено применение в оптико-электронной дальнометрии фазового метода измерения малых дистанций. Определена аналитическая зависимость точности измерений от динамики измерительной системы. Рассчитаны частотные характеристики ...
  • Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов 
    Терлецкая, Л.Л.; Калиниченко, Л.Ф.; Голубцов, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Проведен сравнительный анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных слоев n-GaAs и спектральных характеристик структур p⁺-Si—n-Si—p-Si—n⁺-GaAs. Слои GaAs выращивались на Si-подложках методом жидкофазной эпитаксии ...
  • Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия 
    Ковалюк, З.Д.; Махний, В.П.; Янчук, А.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
    Анализируются электрические и фотоэлектрические свойства выпрямляющих структур различного типа (поверхностно-барьерные диоды, p—n-гомопереходы и гетеропереходы) на базе моноселенидов галлия и индия. Обсуждается влияние ...

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис