Фотопровідність кремнію в умовах магнітного впливу

Домашня сторінка
→
Загальнонаукова періодика
→
Доповіді Національної академії наук України
→
Доповіді НАН України, 2008
→
Доповіді НАН України, 2008, № 10
→
Переглянути статтю

Фотопровідність кремнію в умовах магнітного впливу

Макара, В.А. ; Стебленко, Л.П. ; Подолян, А.О. ; Курилюк, А.М. ; Кобзар, Ю.Л. ; Науменко, С.М.

Тема: Фізика

УДК: 548.4;548.0:539.3.8

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/6107

Посилання: Фотопровідність кремнію в умовах магнітного впливу / В.А. Макара, Л.П. Стебленко, А.О. Подолян, А.М. Курилюк, Ю.Л. Кобзар, С.М. Науменко // Доп. НАН України. — 2008. — № 10. — С. 91-95. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.

Дата: 2008

Завантажень: 452

Фотопровідність кремнію в умовах магнітного впливу

Анотація:

It is shown that the action of magnetic fields (MF) of different nature (constant and variable MF and a microwave superhigh-frequency field) changes the relaxation kinetics of photoconductivity (PC) in silicon crystals. For an explanation of the obtained results, the mechanism, according to which differences in the relaxation times of PC are related to structural changes in the surface layer of Si that are stimulated by the magnetic influence, is offered.

Показати повний запис статті