Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Фотопровідність кремнію в умовах магнітного впливу
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | Макара, В.А. | |
| dc.contributor.author | Стебленко, Л.П. | |
| dc.contributor.author | Подолян, А.О. | |
| dc.contributor.author | Курилюк, А.М. | |
| dc.contributor.author | Кобзар, Ю.Л. | |
| dc.contributor.author | Науменко, С.М. | |
| dc.date.accessioned | 2010-02-16T16:55:11Z | |
| dc.date.available | 2010-02-16T16:55:11Z | |
| dc.date.issued | 2008 | |
| dc.identifier.citation | Фотопровідність кремнію в умовах магнітного впливу / В.А. Макара, Л.П. Стебленко, А.О. Подолян, А.М. Курилюк, Ю.Л. Кобзар, С.М. Науменко // Доп. НАН України. — 2008. — № 10. — С. 91-95. — Бібліогр.: 13 назв. — укр. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 1025-6415 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/6107 | |
| dc.description.abstract | It is shown that the action of magnetic fields (MF) of different nature (constant and variable MF and a microwave superhigh-frequency field) changes the relaxation kinetics of photoconductivity (PC) in silicon crystals. For an explanation of the obtained results, the mechanism, according to which differences in the relaxation times of PC are related to structural changes in the surface layer of Si that are stimulated by the magnetic influence, is offered. | uk_UA |
| dc.language.iso | uk | uk_UA |
| dc.publisher | Видавничий дім "Академперіодика" НАН України | uk_UA |
| dc.subject | Фізика | uk_UA |
| dc.title | Фотопровідність кремнію в умовах магнітного впливу | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
| dc.identifier.udc | 548.4;548.0:539.3.8 |
