Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
Репозиторій DSpace/Manakin
Вхід
|
Допомога
Статистика
Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
→
Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005
→
Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005, № 1
→
Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
Ковалюк, З.Д.
;
Катеринчук, В.Н.
;
Сидор, О.Н.
Інші назви:
Дослідження фотоелектричних властивостей симетричної гетероструктури "окисень-InSe-окисень”
Investigations of the photoelectrical properties of symmetrical oxide-InSe-oxide heterojunctions
Тема:
Функциональная микро- и наноэлектроника
URI:
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53524
Посилання:
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел" / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 1. — С. 38-40. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
Дата:
2005
Переглядів:
853
Завантажень:
572
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
Анотація:
Показана возможность изготовления качественного фототранзистора n-p-n-типа на основе формирования двойной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел".
Показати повний запис статті
Файли у цій статті
Name:
10-Kovaliuk.pdf
Розмір:
132.7Кб
Формат:
PDF
Перегляд/
Відкрити
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005, № 1
[23]
Пошук
Пошук
Ця колекція
Розширений пошук
Перегляд
Вся бібліотека
Розділи і Колекції
За датою випуску
Автори
Назви
Теми
Колекція
За датою випуску
Автори
Назви
Теми
Мій обліковий запис
Логін
Реєстрація