Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"

dc.contributor.author	Ковалюк, З.Д.
dc.contributor.author	Катеринчук, В.Н.
dc.contributor.author	Сидор, О.Н.
dc.date.accessioned	2014-01-21T20:19:44Z
dc.date.available	2014-01-21T20:19:44Z
dc.date.issued	2005
dc.identifier.citation	Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел" / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 1. — С. 38-40. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53524
dc.description.abstract	Показана возможность изготовления качественного фототранзистора n-p-n-типа на основе формирования двойной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел".	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"	uk_UA
dc.title.alternative	Дослідження фотоелектричних властивостей симетричної гетероструктури "окисень-InSe-окисень”	uk_UA
dc.title.alternative	Investigations of the photoelectrical properties of symmetrical oxide-InSe-oxide heterojunctions	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA