Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн
Інші назви:
Технологія виготовлення GaAs-діодів Гана для діапазону коротких міліметрових довжин хвиль
Physical-technological of producing GaAs Gunn diodes operating in the range of short millimeter wave lengths
Physical-technological of producing GaAs Gunn diodes operating in the range of short millimeter wave lengths
Тема:
Техника и технологии СВЧ
Посилання:
Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн / В.Н. Иванов, В.М. Ковтонюк, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 5-7. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
Підтримка:
Статья подготовлена в рамках украинской Государственной программы развития техники и технологий сверхвысоких частот на 2005-2009 годы.
Дата:
2006
Переглядів:
913
Завантажень:
904
Анотація:
Разработанная технология позволила создать диоды Ганна, работающие на частоте до 80 ГГц с КПД до 4% и выходной мощностью 40 мВт.
