Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн

dc.contributor.author	Иванов, В.Н.
dc.contributor.author	Ковтонюк, В.М.
dc.contributor.author	Николаенко, Ю.Е.
dc.date.accessioned	2014-01-18T20:16:03Z
dc.date.available	2014-01-18T20:16:03Z
dc.date.issued	2006
dc.identifier.citation	Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн / В.Н. Иванов, В.М. Ковтонюк, Ю.Е. Николаенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 5-7. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53248
dc.description.abstract	Разработанная технология позволила создать диоды Ганна, работающие на частоте до 80 ГГц с КПД до 4% и выходной мощностью 40 мВт.	uk_UA
dc.description.sponsorship	Статья подготовлена в рамках украинской Государственной программы развития техники и технологий сверхвысоких частот на 2005-2009 годы.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Техника и технологии СВЧ	uk_UA
dc.title	Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн	uk_UA
dc.title.alternative	Технологія виготовлення GaAs-діодів Гана для діапазону коротких міліметрових довжин хвиль	uk_UA
dc.title.alternative	Physical-technological of producing GaAs Gunn diodes operating in the range of short millimeter wave lengths	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA