Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
Інші назви:
Фізико-технологічні основи отримання різкого p-n-перехода
Physical-technological bases of reception sharp p-n-transition
Physical-technological bases of reception sharp p-n-transition
Тема:
Технологические процессы и оборудование
Посилання:
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ш.Ш. Юлдашев, Ш.Ш. Болтаева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 59-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
Дата:
2006
Переглядів:
880
Завантажень:
544
Анотація:
Приведен способ получения резкого p-n-перехода методом жидкостной эпитаксии. На основе эпитаксиальных p-n-переходов изготовлены полевые транзисторы, подтвердившие эффективность предложенного способа.
