Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода

dc.contributor.author	Каримов, А.В.
dc.contributor.author	Ёдгорова, Д.М.
dc.contributor.author	Юлдашев, Ш.Ш.
dc.contributor.author	Болтаева, Ш.Ш.
dc.date.accessioned	2014-01-14T23:12:25Z
dc.date.available	2014-01-14T23:12:25Z
dc.date.issued	2006
dc.identifier.citation	Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ш.Ш. Юлдашев, Ш.Ш. Болтаева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 59-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52975
dc.description.abstract	Приведен способ получения резкого p-n-перехода методом жидкостной эпитаксии. На основе эпитаксиальных p-n-переходов изготовлены полевые транзисторы, подтвердившие эффективность предложенного способа.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технологические процессы и оборудование	uk_UA
dc.title	Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода	uk_UA
dc.title.alternative	Фізико-технологічні основи отримання різкого p-n-перехода	uk_UA
dc.title.alternative	Physical-technological bases of reception sharp p-n-transition	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA