Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
Інші назви:
Оптимизація виготовлення високовольтного горизонтального р-канального МОН-транзистора
The high-voltage lateral p-channel MOStransistor making optimization
The high-voltage lateral p-channel MOStransistor making optimization
Тема:
Функциональная микро- и наноэлектроника
Посилання:
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора / Н.И. Леонов, А.М. Лемешевская, Н.Л. Дудар, С.Н. Гетьман // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 45-47. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
Дата:
2006
Переглядів:
661
Завантажень:
433
Анотація:
Определены конструкция, удельное сопротивление эпитаксиальной пленки и толщина подзатворного окисла, при которых получены требуемые значения порогового напряжения транзистора.
