Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора

dc.contributor.author	Леонов, Н.И.
dc.contributor.author	Лемешевская, А.М.
dc.contributor.author	Дудар, Н.Л.
dc.contributor.author	Гетьман, С.Н.
dc.date.accessioned	2014-01-14T22:56:15Z
dc.date.available	2014-01-14T22:56:15Z
dc.date.issued	2006
dc.identifier.citation	Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора / Н.И. Леонов, А.М. Лемешевская, Н.Л. Дудар, С.Н. Гетьман // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 45-47. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52971
dc.description.abstract	Определены конструкция, удельное сопротивление эпитаксиальной пленки и толщина подзатворного окисла, при которых получены требуемые значения порогового напряжения транзистора.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора	uk_UA
dc.title.alternative	Оптимизація виготовлення високовольтного горизонтального р-канального МОН-транзистора	uk_UA
dc.title.alternative	The high-voltage lateral p-channel MOStransistor making optimization	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA