Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью

Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью

Байдуллаева, А. ; Борщ, В.В. ; Велещук, В.П. ; Власенко, А.И. ; Даулетмуратов, Б.К. ; Левицкий, С.Н. ; Мозоль, П.Е.

Інші назви: Структура Те–CdTe з властивістю електронного переключення з пам'яттю
Structure Te-CdTe with properties of electronic switching with memory

Тема: Функциональная микро- и наноэлектроника

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52875

Посилання: Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью / А. Байдуллаева, В.В. Борщ, В.П. Велещук, А.И. Власенко, Б.К. Даулетмуратов, С.Н. Левицкий, П.Е. Мозоль // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 40-43. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Дата: 2007

Завантажень: 603

Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью

Анотація:

Формирование пленки теллура на поверхности кристалла CdTe при облучении импульсами рубинового лазера позволяет изготавливать структуры со свойством электронного переключения с памятью.

Показати повний запис статті