Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью

dc.contributor.author	Байдуллаева, А.
dc.contributor.author	Борщ, В.В.
dc.contributor.author	Велещук, В.П.
dc.contributor.author	Власенко, А.И.
dc.contributor.author	Даулетмуратов, Б.К.
dc.contributor.author	Левицкий, С.Н.
dc.contributor.author	Мозоль, П.Е.
dc.date.accessioned	2014-01-08T18:53:20Z
dc.date.available	2014-01-08T18:53:20Z
dc.date.issued	2007
dc.identifier.citation	Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью / А. Байдуллаева, В.В. Борщ, В.П. Велещук, А.И. Власенко, Б.К. Даулетмуратов, С.Н. Левицкий, П.Е. Мозоль // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 40-43. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52875
dc.description.abstract	Формирование пленки теллура на поверхности кристалла CdTe при облучении импульсами рубинового лазера позволяет изготавливать структуры со свойством электронного переключения с памятью.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Функциональная микро- и наноэлектроника	uk_UA
dc.title	Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью	uk_UA
dc.title.alternative	Структура Те–CdTe з властивістю електронного переключення з пам'яттю	uk_UA
dc.title.alternative	Structure Te-CdTe with properties of electronic switching with memory	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA