Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления

Болтовец, Н.С. ; Борисенко, А.Г. ; Иванов, В.Н. ; Федорович, О.А. ; Кривуца, В.А. ; Полозов Б.П.

Інші назви: Формування мезаструктур 4НSiC p-i-n-діодів методом іонно-плазмового травлення
Forming of 4HSiC p-i-n-diodes mesastructures by the ion-plasmous etching method

Тема: Технологические процессы и оборудование

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52315

Посилання: Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления / Н.С. Болтовец, А.Г. Борисенко, В.Н. Иванов, О.А. Федорович, В.А. Кривуца, Б.П. Полозов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 45-48. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Дата: 2009

Завантажень: 636

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления

Анотація:

Представлены результаты исследования и оптимизации процесса формирования карбидокремниевой мезаструктуры для p-i-n-диода на промышленной технологической базе. Исследованы характеристики диодов в интервале температуры 25-500 °С.

Представлено результати дослідження та оптимізації процесу формування мезаструктур 4НSiC p-i-n-діодів на промисловій технологічній базі. Досліджено вольт-амперні характеристики та характеристики перемикання p-i-n-діодів в інтервалі температури 25-500°С.·

The results of research and optimization of 4HSiC p-i-ndiodes mesastructures manufacturing method are presented as well as analysis of current-voltage characteristics and switching characteristics of p-i-n-diodes in the 25-500°C temperature range.

Показати повний запис статті