Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления

dc.contributor.author	Болтовец, Н.С.
dc.contributor.author	Борисенко, А.Г.
dc.contributor.author	Иванов, В.Н.
dc.contributor.author	Федорович, О.А.
dc.contributor.author	Кривуца, В.А.
dc.contributor.author	Полозов Б.П.
dc.date.accessioned	2013-12-29T17:43:22Z
dc.date.available	2013-12-29T17:43:22Z
dc.date.issued	2009
dc.identifier.citation	Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления / Н.С. Болтовец, А.Г. Борисенко, В.Н. Иванов, О.А. Федорович, В.А. Кривуца, Б.П. Полозов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 45-48. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52315
dc.description.abstract	Представлены результаты исследования и оптимизации процесса формирования карбидокремниевой мезаструктуры для p-i-n-диода на промышленной технологической базе. Исследованы характеристики диодов в интервале температуры 25-500 °С.	uk_UA
dc.description.abstract	Представлено результати дослідження та оптимізації процесу формування мезаструктур 4НSiC p-i-n-діодів на промисловій технологічній базі. Досліджено вольт-амперні характеристики та характеристики перемикання p-i-n-діодів в інтервалі температури 25-500°С.·	uk_UA
dc.description.abstract	The results of research and optimization of 4HSiC p-i-ndiodes mesastructures manufacturing method are presented as well as analysis of current-voltage characteristics and switching characteristics of p-i-n-diodes in the 25-500°C temperature range.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технологические процессы и оборудование	uk_UA
dc.title	Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления	uk_UA
dc.title.alternative	Формування мезаструктур 4НSiC p-i-n-діодів методом іонно-плазмового травлення	uk_UA
dc.title.alternative	Forming of 4HSiC p-i-n-diodes mesastructures by the ion-plasmous etching method	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA