Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием

Abstract

Разработана технология горизонтальной и вертикальной изоляции элементов БИС на основе пористого кремния, исследована возможность его использования для формирования МОП-транзисторов.

Надтонкі функціональні шари МОН-транзисторів вимагають якісної ізоляції активних елементів. Запропоновано новий метод формування епітаксійних структур для технології «кремній-на-ізоляторі» на основі пористого кремнію. Це дозволить формувати три види транзисторів - біполярні, КМОН, ДМОН.·

The superthin functional layers of MOS-transistors require qualitative isolation of active elements. The new method of formation of epitaksial structures for technology «silicon - on-isolator» is offered on the basis of porous silicon. It will allow to form three kinds of transistors - bipolar, SMOS, DMOS.