Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием

dc.contributor.author	Новосядлый, С.П.
dc.contributor.author	Вивчарук, В.М.
dc.date.accessioned	2013-12-26T23:58:36Z
dc.date.available	2013-12-26T23:58:36Z
dc.date.issued	2009
dc.identifier.citation	Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием / С.П. Новосядлый, В.М. Вивчарук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 3. — С. 35-39. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52062
dc.description.abstract	Разработана технология горизонтальной и вертикальной изоляции элементов БИС на основе пористого кремния, исследована возможность его использования для формирования МОП-транзисторов.	uk_UA
dc.description.abstract	Надтонкі функціональні шари МОН-транзисторів вимагають якісної ізоляції активних елементів. Запропоновано новий метод формування епітаксійних структур для технології «кремній-на-ізоляторі» на основі пористого кремнію. Це дозволить формувати три види транзисторів - біполярні, КМОН, ДМОН.·	uk_UA
dc.description.abstract	The superthin functional layers of MOS-transistors require qualitative isolation of active elements. The new method of formation of epitaksial structures for technology «silicon - on-isolator» is offered on the basis of porous silicon. It will allow to form three kinds of transistors - bipolar, SMOS, DMOS.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технологические процессы и оборудование	uk_UA
dc.title	Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием	uk_UA
dc.title.alternative	Формування МОН-транзисторів з ізоляцією активних елементів окисленим пористим кремнієм	uk_UA
dc.title.alternative	Formation of MOS-transistors with isolation of active elements by oxiden porous silicon	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA