Deposition and characterization of thin Si–B–C–N films by dc reactive magnetron sputtering of composed Si/B₄C target

Abstract

The effect of the gas mixture composition on the structure, chemical bond character and hardness of Si–B–C–N films was systematically studied. A series of Si–B–C–N films was deposited by reactive dc magnetron sputtering of the target composed of Si disc with B₄C chips placed in the sputtering zone of disc.

Досліджено вплив складу газової суміші на структуру, хімічні зв’язки та твердість Si–B–C–N-плівок, одержаних методом реакційного на постійному струмі магнетронного розпилення мішені, складеної з кремнієвого диску та пластинок B₄C, розміщених в зоні розпилення мішені.

Исследовано влияние состава газовой смеси на структуру, химические связи и твердость Si–B–C–N, полученных методом реакционного на постоянном токе магнетронного распыления мишени, состоящей из кремниевого диска, в зоне распыления которого были расположены пластинки соединения B₄C.