Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур

Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур

Тема: Технологические процессы

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140778

Посилання: Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 23-25. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.

Дата: 1998

Завантажень: 304

Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур

Анотація:

Разработана технология изготовления КЭС для биполярных интегральных схем без автолегирования и смещения скрытого слоя.

The manufacturing technology of silicon epitaxial structure of bipolar integrated circuits without autodoping and bias of buried layer has been developed.

Показати повний запис статті