Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур

dc.contributor.author	Новосядлый, С.П.
dc.date.accessioned	2018-07-15T11:30:41Z
dc.date.available	2018-07-15T11:30:41Z
dc.date.issued	1998
dc.identifier.citation	Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур / С.П. Новосядлый // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1998. — № 3-4. — С. 23-25. — Бібліогр.: 2 назв. — рос.	uk_UA
dc.identifier.issn	2225-5818
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/140778
dc.description.abstract	Разработана технология изготовления КЭС для биполярных интегральных схем без автолегирования и смещения скрытого слоя.	uk_UA
dc.description.abstract	The manufacturing technology of silicon epitaxial structure of bipolar integrated circuits without autodoping and bias of buried layer has been developed.	uk_UA
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.subject	Технологические процессы	uk_UA
dc.title	Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA