Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре за автором "Марьянчук, П.Д."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд Технология и конструирование в электронной аппаратуре за автором "Марьянчук, П.Д."

Сортувати за: Порядок: Результатів:

  • Исследование кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ и гетеропереходов на их на основе 
    Ковалюк, Т.Т.; Майструк, Э.В.; Солован, М.Н.; Козярский, И.П.; Марьянчук, П.Д. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2018)
    Представлены результаты исследований кинетических свойств кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ Также исследованы электрические свойства и установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямых и обратных смещениях анизотипных ...
  • Исследование кристаллов Cu₂ZnSnTe₄ и гетеропереходов на их основе 
    Ковалюк, Т.Т.; Солован, М.Н.; Мостовой, А.И.; Майструк, Э.В.; Пархоменко, Г.П.; Марьянчук, П.Д. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2015)
    Представлены результаты исследований магнитных, кинетических и оптических свойств кристаллов Cu₂ZnSnTe₄. Методом магнетронного осаждения тонких пленок TiN, TiO₂ и МоОх на подложки из кристаллов Cu₂ZnSnTe₄ изготовлены ...
  • Магнитные и кинетические свойства кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe 
    Ковалюк, Т.Т.; Майструк, Э.В.; Марьянчук, П.Д. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014)
    Проведены исследования магнитных и кинетических свойств кристаллов Hg1–x–yCdxDyySe, которые показали их высокую чувствительность к малейшим изменениям содержания магнитных ионов. На основе экспериментально полученных ...
  • Свойства металлических контактов на пленках TiO₂, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления 
    Брус, В.В.; Ковалюк, З.Д.; Марьянчук, П.Д.; Орлецкий, И.Г.; Майструк, Э.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)
    Исследованы вольт-амперные характеристики металлических контактов на тонких пленках диоксида титана, а также влияние отжига структур в вакууме на их электрические свойства.
  • Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем 
    Марьянчук, П.Д.; Дымко, Л.Н.; Романишин, Т.Р.; Ковалюк, Т.Т.; Брус, В.В.; Солован, М.Н.; Мостовой, А.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2014)
    В результате исследования магнитных, кинетических и оптических свойств кристаллов (3HgTe)₁₋x(Al₂Te₃)x: (x = 0,5) установлено, что в них имеют место прямые межзонные оптические переходы. Температурная зависимость ...
  • Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe 
    Пархоменко, Г.П.; Марьянчук, П.Д. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2016)
    Изготовлены гетероструктуры NiO/n-CdTe и NiO/p-CdTe методом реактивного магнетронного напыления тонких пленок оксида никеля на подложки из кристаллов CdTe p- и n-типа проводимости, исследованы их темновая и световая ...
  • Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-TiO₂:Mn/p-CdTe 
    Мостовой, А.И.; Брус, В.В.; Марьянчук, П.Д.; Ульяницкий, К.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)
    Исследованы электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-Tn-TiO₂:Mn/p-CdTe, изготовленных методом электронно-лучевого испарения в вакууме пленки TiO₂:Mn на монокристаллические подложки CdTe. Установлены доминирующие ...

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис