Представлены результаты исследований кинетических свойств кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ Также исследованы электрические свойства и установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямых и обратных смещениях анизотипных гетеропереходов n-TiO₂/p-Cu₂ZnSnSe₄ , изготовленных методом магнетронного осаждения тонких пленок TiO₂ на подложки из кристаллов Cu₂ZnSnSe₄ .
У даній роботі представлено результати досліджень кінетичних властивостей кристалів Cu₂ZnSnSe₄ створено анізотипні гетеропереходи n-TiO₂/p-Cu₂ZnSnSe₄, визначено їх основні електричні параметри та побудовано енергетичну діаграму.
У даній роботі представлено результати досліджень кінетичних властивостей кристалів Cu₂ZnSnSe₄ створено анізотипні гетеропереходи n-TiO₂/p-Cu₂ZnSnSe₄, визначено їх основні електричні параметри та побудовано енергетичну діаграму.