Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізико-технічних проблем матеріалознавства
→
Functional Materials
→
Functional Materials, 2007, том 14
→
Functional Materials, 2007, № 3
→
Переглянути статтю

Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg

Gryvul, V.I. ; Makhniy, V.P. ; Tkachenko, I.V.

Інші назви: Дефектоутворення у дифузійних шарах ZnSe:Sn і ZnSe:Mg

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136987

Посилання: Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg / V.I. Gryvul, V.P. Makhniy, I.V. Tkachenko // Functional Materials. — 2007. — Т. 14, № 3. — С. 374-377. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.

Дата: 2007

Завантажень: 313

Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg

Анотація:

Equilibrium concentrations of point defects in ZnSe layers obtained by Sn and Mg diffusion fron vapor phase at 1150 K have been calculated using the quasi-chemical reaction method. The calculated results are compared to data obtained fron thermo-e.m.f., conductivity and luminescence spectra measurements.

Показати повний запис статті