Показати простий запис статті
dc.contributor.author |
Gryvul, V.I. |
|
dc.contributor.author |
Makhniy, V.P. |
|
dc.contributor.author |
Tkachenko, I.V. |
|
dc.date.accessioned |
2018-06-16T18:24:12Z |
|
dc.date.available |
2018-06-16T18:24:12Z |
|
dc.date.issued |
2007 |
|
dc.identifier.citation |
Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg / V.I. Gryvul, V.P. Makhniy, I.V. Tkachenko // Functional Materials. — 2007. — Т. 14, № 3. — С. 374-377. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
uk_UA |
dc.identifier.issn |
1027-5495 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/136987 |
|
dc.description.abstract |
Equilibrium concentrations of point defects in ZnSe layers obtained by Sn and Mg diffusion fron vapor phase at 1150 K have been calculated using the quasi-chemical reaction method. The calculated results are compared to data obtained fron thermo-e.m.f., conductivity and luminescence spectra measurements. |
uk_UA |
dc.language.iso |
en |
uk_UA |
dc.publisher |
НТК «Інститут монокристалів» НАН України |
uk_UA |
dc.relation.ispartof |
Functional Materials |
|
dc.title |
Defect formation on diffusive layers of ZnSe:Sn and ZnSe:Mg |
uk_UA |
dc.title.alternative |
Дефектоутворення у дифузійних шарах ZnSe:Sn і ZnSe:Mg |
uk_UA |
dc.type |
Article |
uk_UA |
dc.status |
published earlier |
uk_UA |
Файли у цій статті
Ця стаття з'являється у наступних колекціях
Показати простий запис статті