Phase formation in surface layers of GaTe and InTe single crystals during thermal oxidation in air

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізико-технічних проблем матеріалознавства
→
Functional Materials
→
Functional Materials, 2005, том 12
→
Functional Materials, 2005, № 2
→
Переглянути статтю

Phase formation in surface layers of GaTe and InTe single crystals during thermal oxidation in air

Balitskii, O.A. ; Savchyn, V.P. ; Savchyn, P.V. ; Fiyala, Ya.M.

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/134813

Посилання: Phase formation in surface layers of GaTe and InTe single crystals during thermal oxidation in air / O.A. Balitskii, V.P. Savchyn, P.V. Savchyn, Ya.M. Fiyala // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 206-211. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.

Дата: 2004

Завантажень: 290

Phase formation in surface layers of GaTe and InTe single crystals during thermal oxidation in air

Анотація:

The oxidation processes of indium and gallium monotellurides have been discussed. The oxidation has been established to result in formation of additional phases with higher tellurium content, namely, gallium and indium sesquitellurides, respectively.

Исслeдован фазовый состав приповeрхностных слоeв тeрмичeски оксидированных на воздухe монокристаллов GaTe и lnTe. Установлeно, что оксидированиe сопровождаeтся образованиeм дополнитeльно фазы с большим содeржаниeм тeллура - полуторатeллу- ридов Галлия и индия соотвeтствeнно.

Показати повний запис статті