Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Phase formation in surface layers of GaTe and InTe single crystals during thermal oxidation in air
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | Balitskii, O.A. | |
| dc.contributor.author | Savchyn, V.P. | |
| dc.contributor.author | Savchyn, P.V. | |
| dc.contributor.author | Fiyala, Ya.M. | |
| dc.date.accessioned | 2018-06-14T09:12:10Z | |
| dc.date.available | 2018-06-14T09:12:10Z | |
| dc.date.issued | 2004 | |
| dc.identifier.citation | Phase formation in surface layers of GaTe and InTe single crystals during thermal oxidation in air / O.A. Balitskii, V.P. Savchyn, P.V. Savchyn, Ya.M. Fiyala // Functional Materials. — 2005. — Т. 12, № 2. — С. 206-211. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 1027-5495 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/134813 | |
| dc.description.abstract | The oxidation processes of indium and gallium monotellurides have been discussed. The oxidation has been established to result in formation of additional phases with higher tellurium content, namely, gallium and indium sesquitellurides, respectively. | uk_UA |
| dc.description.abstract | Исслeдован фазовый состав приповeрхностных слоeв тeрмичeски оксидированных на воздухe монокристаллов GaTe и lnTe. Установлeно, что оксидированиe сопровождаeтся образованиeм дополнитeльно фазы с большим содeржаниeм тeллура - полуторатeллу- ридов Галлия и индия соотвeтствeнно. | uk_UA |
| dc.language.iso | en | uk_UA |
| dc.publisher | НТК «Інститут монокристалів» НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Functional Materials | |
| dc.title | Phase formation in surface layers of GaTe and InTe single crystals during thermal oxidation in air | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
