New approach to the efficiency increase problem for multi-junction silicon photovoltaic converters with vertical diode cells

Abstract

It is shown, that for efficiency increase of multi-junction photovoltaic solar energy converters with vertical diode cells (VDC) on the basis of single-crystal silicon the modernization of VDC by the introduction along their vertical Si-boundaries single-layer indiumtin oxide reflectors by thickness more than 1 μm is necessary.

Показано, що для підвищення ККД багатоперехідних фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії з вертикальними діодними комірками (ВДК) на основі монокристалічного кремнію необхідна модернізація ВДК шляхом введення уздовж їх вертикальних Sі-границь одношарових рефлекторів з індій-олов'яного оксиду товщиною більше 1 мкм.

Показано, что для повышения КПД многопереходных фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии с вертикальными диодными ячейками (БДЯ) на основе монокристаллического кремния необходима модернизация БДЯ путем введения вдоль их вертикальных Si-границ однослойных рефлекторов из индий-оловянного оксида толщиной более 1 мкм.