New approach to the efficiency increase problem for multi-junction silicon photovoltaic converters with vertical diode cells

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізико-технічних проблем матеріалознавства
→
Functional Materials
→
Functional Materials, 2008, том 15
→
Functional Materials, 2008, № 2
→
Переглянути статтю

dc.contributor.author	Kopach, V.R.
dc.contributor.author	Kirichenko, M.V.
dc.contributor.author	Shramko, S.V.
dc.contributor.author	Zaitsev, R.V.
dc.contributor.author	Bondarenko, S.A.
dc.date.accessioned	2018-06-13T17:05:30Z
dc.date.available	2018-06-13T17:05:30Z
dc.date.issued	2008
dc.identifier.citation	New approach to the efficiency increase problem for multi-junction silicon photovoltaic converters with vertical diode cells // V.R. Kopach, M.V. Kirichenko, S.V. Shramko, R.V. Zaitsev, S.A. Bondarenko // Functional Materials. — 2008. — Т. 15, № 2. — С. 253-258. — Бібліогр.: 22 назв. — англ.	uk_UA
dc.identifier.issn	1027-5495
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/134560
dc.description.abstract	It is shown, that for efficiency increase of multi-junction photovoltaic solar energy converters with vertical diode cells (VDC) on the basis of single-crystal silicon the modernization of VDC by the introduction along their vertical Si-boundaries single-layer indiumtin oxide reflectors by thickness more than 1 μm is necessary.	uk_UA
dc.description.abstract	Показано, що для підвищення ККД багатоперехідних фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії з вертикальними діодними комірками (ВДК) на основі монокристалічного кремнію необхідна модернізація ВДК шляхом введення уздовж їх вертикальних Sі-границь одношарових рефлекторів з індій-олов'яного оксиду товщиною більше 1 мкм.	uk_UA
dc.description.abstract	Показано, что для повышения КПД многопереходных фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии с вертикальными диодными ячейками (БДЯ) на основе монокристаллического кремния необходима модернизация БДЯ путем введения вдоль их вертикальных Si-границ однослойных рефлекторов из индий-оловянного оксида толщиной более 1 мкм.	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	НТК «Інститут монокристалів» НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Functional Materials
dc.subject	Technology	uk_UA
dc.title	New approach to the efficiency increase problem for multi-junction silicon photovoltaic converters with vertical diode cells	uk_UA
dc.title.alternative	Новий підхід до проблеми підвищення ККД багатоперехідних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів з вертикальними діодними комірками	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA