Баранський, П.І.; Гайдар, Г.П.
(Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2014)
При 77,4 К на зразках n-Si (P), орієнтованих уздовж кристалографічного напрямку [100], досліджено зміни питомого опору ρx/ρ₀ в залежності від одновісного механічного стиску, що змінювався у межах 0 ≤ Х ≤ 0,8 ГПа. Зразки ...