Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника
→
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011
→
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2011, вип. 46
→
Переглянути статтю

Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки

Асніс, Ю.А. ; Баранський, П.І. ; Бабич, В.М. ; Піскун, Н.В. ; Статкевич, І.І.

Інші назви: Contents of doping and background impurities in Si single crystals, obtained by czucibleless electron-beam zone melting

УДК: 621.315,592

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116697

Посилання: Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки / Ю.А. Асніс, П.І. Баранський, В.М. Бабич, Н.В. Піскун, І.І. Статкевич // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 57-61. — Бібліогр.: 6 назв. — укр.

Дата: 2011

Завантажень: 310

Вміст легувальної і фонової домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки

Анотація:

Наведено дані щодо впливу стерильності вакуумної плавильної камери на вміст легувальної (P) і фонової (O) домішок в монокристалах Si, одержаних методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки.

The article presents data about the effect of sterility of vacuum melting chamber on the content of the alloying (P) and background (O) impurites in single crystals of Si, obtained by crucibleless electron-beam zone melting.

Показати повний запис статті