Посилання:Магнітотензо- і тензомагнітоопір n-Ge / П.І. Баранський, Г.П. Гайдар // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2016. — Вип. 51. — С. 128-134. — Бібліогр.: 11 назв. — укр.
Підтримка:In n-Ge crystals at 77 K in the conditions X || J || H || [111], the longitudinal magnetotensoresistance depending on the value of magnetic field H has been investigated for different values of uniaxial stress caused by mechanical compression X, as well as the longitudinal tensomagnetoresistance depending on X has been studied at different values of H. Proposed has been the practically important method for determining the tensomagnetoresistance in conditions of extremely high H and X by using measurements of only tensoresistance (i.e., at Н = 0) in a wide range of X.
У кристалах n-Ge при 77 K в умовах X || J || H || [111] досліджено поздовжній магнітотензоопір у залежності від величини напруженості магнітного поля Н при різних значеннях механічного напруження одновісного стиску Х, а також поздовжній тензомагнітоопір у залежності від Х при різних значеннях Н. Запропоновано важливий для практики метод визначення тензомагнітоопору в умовах гранично великих Н і Х за вимірюваннями лише тензоопору (тобто при Н = 0) в широкому інтервалі Х.