Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна
Репозиторій DSpace/Manakin
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
| dc.contributor.author | Аркуша, Ю.В. | |
| dc.contributor.author | Прохоров, Э.Д. | |
| dc.contributor.author | Стороженко, И.П. | |
| dc.date.accessioned | 2017-07-14T12:18:57Z | |
| dc.date.available | 2017-07-14T12:18:57Z | |
| dc.date.issued | 2004 | |
| dc.identifier.citation | Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна / Ю.В. Аркуша, Э.Д. Прохоров, И.П. Стороженко // Радиофизика и радиоастрономия. — 2004. — Т. 9, № 3. — С. 331-336. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 1027-9636 | |
| dc.identifier.uri | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/122553 | |
| dc.description.abstract | Рассчитана частотная зависимость эффективности генерации m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs-диодов Ганна с длиной активной области 2.5 мкм. Определены оптимальные значения длины n:InxGa1-xAs-катода, концентрации ионизированных примесей в нем и высоты потенциального барьера на металлическом контакте, при которых эффективность генерации максимальна. | uk_UA |
| dc.description.abstract | The frequency dependence of the generation efficiency of an m-n:InxGa1-xAs-n:GaAs-n+:GaAs TED with the 2.5-mm long active region is calculated. The optimum values – which yield the diode maximum generation efficiency – for the n:InxGa1-xAs cathode length, the cathode concentration of ionized impurities, and the height of the potential barrier on metal contact are determined. | uk_UA |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | Радіоастрономічний інститут НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Радиофизика и радиоастрономия | |
| dc.subject | Физические основы электронных приборов | uk_UA |
| dc.title | Влияние металлического контакта к запорному InxGa1-xAs-GaAs-гетерокатоду на работу GaAs-диодов Ганна | uk_UA |
| dc.title.alternative | Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
| dc.identifier.udc | 621.382.2 |
