A silicon carbide thermistor

dc.contributor.author	Boltovets, N.S.
dc.contributor.author	Kholevchuk, V.V.
dc.contributor.author	Konakova, R.V.
dc.contributor.author	Kudryk, Ya.Ya.
dc.contributor.author	Lytvyn, P.M.
dc.contributor.author	Milenin, V.V.
dc.contributor.author	Mitin, V.F.
dc.contributor.author	Mitin, E.V.
dc.date.accessioned	2017-06-15T03:38:29Z
dc.date.available	2017-06-15T03:38:29Z
dc.date.issued	2006
dc.identifier.citation	A silicon carbide thermistor / N.S. Boltovets, V.V. Kholevchuk, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, P.M. Lytvyn, V.V. Milenin, V.F. Mitin, E.V. Mitin // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 4. — С. 67-70. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.	uk_UA
dc.identifier.issn	1560-8034
dc.identifier.other	PACS 84.32.Ff
dc.identifier.uri	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121636
dc.description.abstract	We consider a silicon carbide thermistor with multilayer Au–TiBx–Ni2Si ohmic contacts intended for operation in the 77 to 450 K temperature range.	uk_UA
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України	uk_UA
dc.relation.ispartof	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.title	A silicon carbide thermistor	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dc.status	published earlier	uk_UA