Active inductances controlled in GaAs MESFET technology

Benbouza, M.S. ; Kenzai-Azizi, C. ; Merabtine, N. ; Saidi, Y. ; Amourache, S.
Інший ID: PACS 84.37.+q, 85.30. Tv
URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121617
Посилання: Active inductances controlled in GaAs MESFET technology / M.S. Benbouza, C. Kenzai-Azizi, N. Merabtine, Y. Saidi, S. Amourache // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 3. — С. 44-48. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.
Дата: 2006
Переглядів: 798
Завантажень: 442
Active inductances controlled in GaAs MESFET technology

Анотація:

Two new structures of active inductance which implement MESFET transistors are proposed in this article. The technological parameters of the components of “inductances” are those of 0.8 µm MESFET technology. We expose the advantages of these new structures such as the adjustable character of the value of the active inductance like their limitation, and we compare them to those of the literature.

Показати повний запис статті

Файли у цій статті

Icon
Name: 10-Benbouza.pdf
Розмір: 74.49Кб
Формат: PDF
Перегляд/Відкрити

Ця стаття з'являється у наступних колекціях

Пошук


Розширений пошук

Перегляд

Мій обліковий запис