Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Photoelectric properties of single crystals Ag₃In₅Se₉
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2006, том 9
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2006, № 3
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Photoelectric properties of single crystals Ag₃In₅Se₉
Інший ID:
PACS 72.40.+w
Посилання:
Photoelectric properties of single crystals Ag₃In₅Se₉ / A.H. Huseynov, R.M. Mamedov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 3. — С. 25-28. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.
Дата:
2006
Переглядів:
770
Завантажень:
419
Анотація:
Low-resistance and high-resistance single crystals of Ag₃In₅Se₉ compound have been grown using the methods of zone recrystallization and slow cooling at a constant gradient of temperature. We have investigated spectral and lux-ampere characteristics of photoconductivity and determined the mechanism of recombination inherent to non-equilibrium current carriers. It has been ascertained that the capture of electrons emitted by donor centers is caused by a strong electric field applied to a sample.
