Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2016, том 19
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2016, № 3
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
Інший ID:
DOI: 10.15407/spqeo19.03.295
PACS 73.40.Gk, 73.40.Kp
PACS 73.40.Gk, 73.40.Kp
Посилання:
Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods / A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin, A.I. Tkachuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 3. — С. 295-298. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.
Дата:
2016
Переглядів:
780
Завантажень:
528
Анотація:
InSb p-n junctions were prepared by three diffusion methods, including isothermal, two-temperature and two-stage diffusion processes. The current-voltage characteristics were measured as a function of temperature and bias voltage. The highest values of the resistance-area product at zero bias have been obtained for the junctions prepared using the two-stage diffusion process.
