Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2016, том 19
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2016, № 1
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants
Інший ID:
DOI: 10.15407/spqeo19.01.039
PACS 61.82.Fk
PACS 61.82.Fk
Посилання:
Features of tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants / P.I. Baranskii, G.P. Gaidar // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2016. — Т. 19, № 1. — С. 39-43. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.
Дата:
2016
Переглядів:
787
Завантажень:
325
Анотація:
Tensoresistance in single crystals of germanium and silicon with different dopants but under practically equal charge carrier concentrations have been investigated. The features of ρX /ρ₀ = f(X) function, which depend on individual physical-chemical properties of dopants, have been discussed in this paper.
