Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
The first principle calculation of electronic and optical properties of AlN, GaN and InN compounds under hydrostatic pressure
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2006, том 9
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2006, № 2
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
The first principle calculation of electronic and optical properties of AlN, GaN and InN compounds under hydrostatic pressure
Інший ID:
PACS 71.20.Mq, 78.40.Fy
Посилання:
The first principle calculation of electronic and optical properties of AlN, GaN and InN compounds under hydrostatic pressure / S. Berrah, H. Abid, A. Boukortt // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2006. — Т. 9, № 2. — С. 12-16. — Бібліогр.: 43 назв. — англ.
Підтримка:
We would like to acknowledge S.Q. Wang from
Shenyang National Laboratory for Materials Science,
Institute of Metal Research, Chinese (republic of China)
and K. Louzazna from university of Béjaia (Algéria) for
their help.
Дата:
2006
Переглядів:
838
Завантажень:
483
Анотація:
Numerical simulation based on FPLAPW calculations is applied to study the lattice parameters, bulk modulus, band energy and optical properties of the zincblende binary solids AlN, GaN, InN under hydrostatic pressure. The results obtained are in a good agreement with experimental and theoretical values.
