Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Effect of microwave radiation on optical transmission spectra in SiO₂/SiC structures
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2002, том 5
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2002, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Effect of microwave radiation on optical transmission spectra in SiO₂/SiC structures
Інший ID:
PACS: 78.70.Fy, 78.70.Gq
Посилання:
Effect of microwave radiation on optical transmission spectra in SiO₂/SiC structures / Yu.Yu. Bacherikov, R.V. Konakova, E.Yu. Kolyadina, A.N. Kocherov, O.B. Okhrimenko, A.M. Svetlichnyi // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 4. — С. 391-394. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.
Дата:
2002
Переглядів:
577
Завантажень:
288
Анотація:
We investigated the effect of microwave radiation on absorption spectra (in 400-800 nm range) and curvature radius of SiO₂/SiC structures obtained using traditional thermal oxidation in water vapor at the temperature of 1373 К and rapid thermal annealing in dry oxygen at 1273 К. From an analysis of the sample optical density and radius of curvature variations with total duration of microwave action, we concluded that the structures obtained using rapid thermal annealing are more stable against microwave action.
