Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2000, том 3
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2000, № 3
→
Переглянути статтю

Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy

Kladko, V.P. ; Datsenko, L.I. ; Maksimenko, Z.V. ; Lytvyn, O.S. ; Prokopenko, I.V. ; Zytkiewicz, Z.

Інший ID: PACS: 61.10.E, N; 61.72.D; 68.55.L

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/121168

Посилання: Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy / V.P. Kladko, L.I. Datsenko, Z.V. Maksimenko, O.S. Lytvyn, I.V. Prokopenko, Z. Zytkiewicz // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 3. — С. 343-348. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.

Дата: 2000

Завантажень: 331

Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy

Анотація:

Stoichiometry parameters as well as the microdefects ones for GaAs:Si/GaAs thin films grown by liquid-phase epitaxy were investigated by means of method of X-ray integrated reflectivity energy dependencies analysis for quasiforbidden reflections (200) in the interval of wavelengths near absorption K-edges of GaAs components.

Показати повний запис статті