Influence of low-temperature annealing on the state of CdTe surface

Домашня сторінка
→
Фізико-технічні та математичні науки
→
Відділення фізики і астрономії
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
→
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005, том 8
→
Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005, № 3
→
Переглянути статтю

Influence of low-temperature annealing on the state of CdTe surface

Parfenyuk, O.A. ; Ilashchuk, M.I. ; Chupyra, S.M. ; Burachek, V.R. ; Korbutyak, D.V. ; Krylyuk, S.G. ; Vakhnyak, N.D.

Інший ID: PACS: 72.80.Ey, 78.55.Et, 81.40.Rs, 81.40T

URI: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120961

Посилання: Influence of low-temperature annealing on the state of CdTe surface / O.A. Parfenyuk, M.I. Ilashchuk, S.M. Chupyra, V.R. Burachek, D.V. Korbutyak, S.G. Krylyuk, N.D. Vakhnyak // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 3. — С. 50-53. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Дата: 2005

Завантажень: 413

Influence of low-temperature annealing on the state of CdTe surface

Анотація:

Influence of low-temperature annealing on electrical and luminescent properties of semi-insulating n-CdTe:Sn is studied. It is shown that annealing at T ≥ 453 K modifies a near-surface layer of the crystals and this enhances the hole component of the conductivity. It is explained by Cd evaporation and subsequent enrichment of the near-surface layer with cadmium vacancies. Results of electrical measurements are confirmed by our low-temperature photoluminescence experiments.

Показати повний запис статті