Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2015, том 18
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2015, № 1
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings
УДК:
DOI: 10.15407/spqeo18.01.053
Інший ID:
PACS 61.82.Fk
Посилання:
Changes in electrophysical properties of heavily doped n-Ge <As> single crystals under the influence of thermoannealings / G.P. Gaidar // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 1. — С. 53-56. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.
Дата:
2015
Переглядів:
736
Завантажень:
376
Анотація:
Features of changes in the electrophysical parameters (concentrations of charge carriers ne and their mobilities μ ) in heavily doped n-Ge <As> single crystals, which occur as a result of the series of thermoannealings (each for 0.5 h) over a wide temperature range (540 ≤T≤ 900 °C), have been investigated and explained.
