Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
The role of optical phonons in electrons heating by IR radiation in Ge
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005, том 8
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005, № 2
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
The role of optical phonons in electrons heating by IR radiation in Ge
Інший ID:
PACS: 05.50. + q, 61.50.Em, 82.20.Fd
Посилання:
The role of optical phonons in electrons heating by IR radiation in Ge / V.N. Poroshin, O.G. Sarbey // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 1. — С. 1-3. — Бібліогр.: 1 назв. — англ.
Дата:
2005
Переглядів:
682
Завантажень:
311
Анотація:
An expression for the coefficient of light absorption by “hot” electrons in many-valley semiconductors for carrier scattering by nonpolar optical phonons in dependence on the carrier temperature and electron concentration in each valley has been obtained. It was shown that taking into account the contribution of such scattering into absorption of a CO₂ laser radiation enables to achieve a quantitative agreement between the calculated and experimental values for the intervalley redistribution of electrons due to heating carriers by the light wave in Ge at 300 and 77 K.
