Conductivity of the Bi₁₂SiO₂₀ thin films

Abstract

The results of the conductivity examination in the Bi₁₂SiO₂₀ thin films prepared using the sol-gel method are presented. The conductivity was investigated in the 300–550 K temperature and up to 100 V/cm field ranges. It was observed that the charge carrier transfer at the flow level, situated in the tail of the density of states into the forbidden band is dominant for the investigated sample at T > 500 K. The obtained results are explained in terms of the highly compensated doped semiconductor model.

Тонкi плiвки сiленiту вiсмуту були отриманi золь-гель методом. У широкому діапазонi полів та температур були дослiдженi вольт-ампернi характеристики та електропровiднiсть. Знайдено, що перенесення носiїв заряду в тонких плiвках при T > 500 K здiйснюється по рiвню протiкання, розташованому у хвостi густини локалiзованих станiв. Отриманi результати обговорюються у рамках моделi легованих компенсованих напiвпровiдникiв.