Наукова електронна бібліотека
періодичних видань НАН України
періодичних видань НАН України
Evaluation of the efficiency of interband radiative recombination in high quality Si
Репозиторій DSpace/Manakin
- Домашня сторінка
- →
- Фізико-технічні та математичні науки
- →
- Відділення фізики і астрономії
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
- →
- Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999, том 2
- →
- Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 1999, № 4
- →
- Переглянути статтю
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
Evaluation of the efficiency of interband radiative recombination in high quality Si
Інший ID:
PACS 72.20.J, 78.55, 78.60
Посилання:
Evaluation of the efficiency of interband radiative recombination in high quality Si / A.V. Sachenko, Yu.V. Kryuchenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 4. — С. 55-60. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.
Дата:
1999
Переглядів:
778
Завантажень:
408
Анотація:
It is shown theoretically that quantum efficiency of interband radiation in highly purified silicon with low concentration of deep impurities and defects can exceed 10% at room temperatures in the case of negligibly small surface recombination. Dependencies of quantum efficiency on intensity and wavelength of exciting monochromatic light, surface recombination rate and thickness of silicon plate are discussed.
