A theoretical research is presented concerning the potential distribution and electric field intensity in the
InAs/GaAs nanoheterosystem with InAs QDs within the framework of self-consistent electron-deformation
model. It is shown that at the strained border between a quantum dot and matrix there is a double electric
layer, that is n⁺ - n junction.
У межах моделi самоузгодженого електрон-деформацiйного зв’язку, теоретично дослiджено розподiл потенцiалу та напруженостi електричного поля в напруженiй наногетеросистемi InAs/GaAs з квантовими точкам InAs. Показано, що на напруженiй межi квантова точка – матриця виникає подвiйний електричний шар, тобто n⁺ - n перехiд.